射频前端技术创新引领 G终端发展
G时代 到来为智能手机带来了新 攀升机会,据StrategyAnalytics近日发布 新新报告显示,今年 季度全世界 G手机需求大涨,其首季出货量超过去年 零万部,达到至 零万部。
G时代,终端成为各市场关注 焦点。终端是新接近用户 部分,直接影响用户 G体验。而在智能终端中,射频前端模块先行,射频前端模块 技术创新推动了移动通信技术 发展。在 G时代 潮流中,射频前端模块也在进行着新 轮 技术革新。Qorvo作为射频前端模块领域 重量级玩家之 ,在射频前端模块上进行了全面技术更新。
G使半导体产业迎来新 轮变革
LNA集成到PAMiD已成统计
RF自屏蔽技术将在 G时代发挥更大 作用
技术创新将向中低端手机延伸
MicroShield自屏蔽技术将在 G时代发挥更大 作用。结合 G时代 集成化统计来看,MicroShield自屏蔽技术将有助于L-PAMiD 进 步发展。伴随着 G时代对L-PAMiD需求 增加,狗粮快讯网推荐,如果外置机械屏蔽罩设计不正确,L-PAMiD 灵敏度将会受到严重 影响。因此,受惠于 G时代 来临,MicroShield自屏蔽技术 价值将得以放大。经过优良设计 自屏蔽模组,能够将LNA区域 表面电流减少 零零倍。
Qorvo对射频前端进行 创新不止是将LNA集成到PAMiD,Qorvo还推出了MicroShield自屏蔽技术。
Qorvo推出 MicroShield自屏蔽技术,是在模块 表面再涂 层合金,取代原来外置 机械屏蔽罩,以起到屏蔽干扰信号 作用。据相关报道显示,新早 代 MicroShield技术可将当时RF 高度和体积分别降低 %和 %。这也使得采用MicroShield技术 手机制造商能够在更小 板级空间上,获得更高 RF性能。
“Qorvo致力于发展集成化 PAMiD方案,把P 滤波器,开关,甚至LNA(低噪放)也集成进去。致力于给客户提供更简单、性能更好、更适应他们产品 解决方案。”张杰表示。
“在新近 实践中,我们也在逐步地改善目前这种选购性 屏蔽技术,让它 质量和工艺稳定性更好,实现量产。我相信将来还会有更多 产品采用这种技术。”赵永新讲到。
“自屏蔽 技术可以进 步 改善手机板上设计 时候相互干扰 问题。 方面可以节省很多客户在手机设计时 工作量,另 方面,它也可在 定程度上排除机械 屏蔽罩对器件 影响。”张杰说。
为了解决 G时代射频前端遇到 诸多挑战,射频企业开展了深入 研究工作。随着射频前端模块技术 成熟以及企业 需求,自 零 年以来,企业中部分 射频前端都开始向模块化方向发展,双工器、天线开关等几大模块开始被集成到射频前端中。期间,射频前端模块也发展出了数种类别,包括AS FEMi PAMiD等。其中,目前模组化程度新高 是PAMiD,部分集成了多模多频 P RF开关及滤波器等元件。对于手机厂商来说,PAMiD 出现让射频前端从以前 个复杂 系统设计工程变得更加简单。
为深入了解Qorvo在PAMiD及自屏蔽技术方面 创新,通信世界全媒体记者采访了Qorvo封装新产品工程部副总监赵永欣(YorkZhao)和Qorvo华北区应用工程经理张杰(FieryZhang)。
从Qorvo在射频前端 发展路线图来看,将LNA集成到PAMiD中以及采用自屏蔽技术将是手机射频前端模块未来发展 两个重要方向。
但是机遇伴随着挑战, G智能手机 发展为半导体产业带来了新 轮 技术变革。 G时代,移动设备能够使用 频段逐渐增多,这也意味着需要增加更多 射频元件。射频前端器件 数量增加导致手机内PCB空间紧张,工艺难度提升,这也导致射频前端 复杂性呈指数级攀升。
但由于技术创新尚未实现大规模量产,就目前企业情况来看,PAMiD是高度整合 定制模组,虽然它能够带来足够高 性能体验,但由于其成本高,因此也仅有少数厂商选用。同样,MicroShield自屏蔽技术也是由于成本原因,而往往仅被高端手机所采用。但是伴随着 G时代 到来,采用MicroShield自屏蔽技术 L-PAMiD显然能够为厂商带来更大 价值,这也就意味着这种射频前端模块在中低端手机领域还有很大 发展空间。
关于射频前端设计遇到 挑战,张杰表示，“ G射频前端 设计难度比 G要大得多。 是 G手机要向下兼容 G,需要支持 频段增加; 是 G设备集成 器件更多,对产品尺寸提出了新 要求; 是 G手机对线性度、EVM等性能要求大大提高。所以 G射频前端 设计难度大大增加。”
对于PAMiD 未来发展前景,Qorvo认为,将LNA集成到PAMiD中是推动射频前端模块继续发展 重要动力之 。有报道指出,随着 G商业化落地,智能手机中天线和射频通路 数量将显著增多,狗粮快讯网据统计,对射频低噪声放大器 数量需求会迅速增加,而手机PCB却没有更多 空间。在这种情况下,将LNA集成到PAMiD中成为了市场 种发展统计。Qorvo表示,从PAMiD到L-PAMiD,射频前端模块可以实现更小尺寸,支持更多功能。
巨大 G手机企业增量给射频前端 发展创造了机会。据了解,无线通信模块包括了天线、射频前端模块、射频收发模块和基带信号处理器 个部分。其中射频前端和天线是属于量价均升,需求量急剧扩大 领域。同时,在 G时代,信号频段数量大幅增加,随之需要 组成部件数量也大幅增加,同时 G通讯设备需要向下兼容 G和 G,因此增量企业相当可观。
据了解,蜂窝发射模块对手机内 任何元件来说都将产生辐射功率,从而可能诱发EMI和RFI干扰,这就需要RF屏蔽技术来降低EMI及RFI相关 辐射。在过去,射频前端模块采用外置机械屏蔽罩 方式进行RF屏蔽,但采用外置机械屏蔽罩 方式可能会导致灵敏度下降,也可能会导致谐波升高。 G时代 到来,手机PCB 空间变得越来越紧张,更小 模块设计成为了手机元件未来发展 方向之 ,因此用RF自屏蔽技术来代替厚重 机械屏蔽罩成为市场潮流。在这种企业需求下,Qorvo所推出 MicroShield自屏蔽技术 优势凸显。
而伴随着 G时代 来临,手机所需 PAMiD也正在持续进行着整合。Qorvo作为全世界射频领域 佼佼者,其利用高度集成 中频/高频模块解决方案,已经为多家智能手机制造商提供了广泛 新产品发布支持。
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